FZT649TA中文资料
功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FZT649TA PDF资料
| 型号： |
FZT649TA |
前往资料站下载： |
下载 |
| 原厂全称： |
|
原厂简称： |
DIODES |
| 页数： |
7 |
文件大小： |
538 /kb |
| 说明： |
25V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 |
